Поиск по сайту:

...Учись у меня трудам и доблести, сын мой, Быть счастливым учись у других (Вергилий).

Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

FavoriteLoadingДобавить в избранное
3 июля 2022
Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле Samsung начала массовое производство своего нового 3-нм технологического узла, впервые использующего архитектуру транзисторов MBCFET Gate-All-Around (GAA).

Технический гигант рекламирует новый 3-нм технологический узел как свою самую передовую технологию производства чипов, позволяющую создавать компактные чипы меньшего размера с повышенной производительностью и эффективностью. Он обещает незначительное увеличение производительности по сравнению с 5-нм предшественником, заявляя о снижении энергопотребления до 45 процентов, повышении производительности на 23 процента и уменьшении площади поверхности на 16 процентов.

 

Анализ

Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

 

Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) — это новая транзисторная архитектура Samsung GAA, которая позволяет использовать более широкие каналы в затворах для прохождения электричества, предлагая снижение уровней напряжения по сравнению с предыдущей архитектурой транзисторов FinFET.

Как следует из названия, Gate-All-Around означает, что каналы окружены затворами, позволяющими пропускать больше тока привода, что позволяет отказаться от предыдущих ограничений производительности FinFET, которые использовали только три стороны. Samsung также утверждает, что это дает возможность быть самой гибкой конструкцией, позволяющей легко регулировать ширину канала в соответствии с потребностями клиента.

На данный момент первое поколение 3-нм чипов в настоящее время предназначено для высокопроизводительных компьютерных приложений с низким энергопотреблением, и планируется перевести узел, используемый на мобильные процессоры. Кроме того, в разработке находится 3-нм процесс второго поколения с целью дальнейшего снижения энергопотребления до 50%, повышения производительности на 30% и уменьшения площади поверхности на 35% по сравнению с текущим 5-нм технологический узел.

Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

 

«Samsung быстро растет, поскольку мы продолжаем демонстрировать лидерство в применении технологий следующего поколения в производстве, таких как первые в литейной промышленности металлические ворота High-K, FinFET, а также EUV. Мы стремимся сохранить это лидерство благодаря первому в мире 3-нм техпроцессу с MBCFET », — сказал д-р Сиёнг Чой, президент и руководитель литейного производства в Samsung Electronics.

«Мы продолжим активные инновации в разработке конкурентоспособных технологий и создадим процессы, которые помогут ускорить достижение зрелости технологий».

Читать  По слухам, AMD Radeon RX 6000S появится на рынке ноутбуков

Достаточно сказать, что новый 3-нм технологический узел является долгожданным дополнением, учитывая, что конкуренты и крупнейший в мире литейный завод TSMC также наращивают производство собственного 3N-процесса. А поскольку новая технология вскоре будет реализована в мобильных приложениях, было бы интересно посмотреть, как эта технология сочетается с грядущими чипами Exynos.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...
Поделиться в соц. сетях:
0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest

**Commentor's URL Will be Followed

0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии

Читайте также

0
Оставьте комментарий! Напишите, что думаете по поводу статьи.x

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам:

Заполните форму и наш менеджер перезвонит Вам в самое ближайшее время!

badge
Обратный звонок 1
Отправить
galka

Спасибо! Ваша заявка принята

close
galka

Спасибо! Ваша заявка принята

close