Поиск по сайту:
Все прекрасное редко (Цицерон).

Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

FavoriteLoadingДобавить в избранное
03.07.2022
Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

Samsung начала массовое производство своего нового 3-нм технологического узла, впервые использующего архитектуру транзисторов MBCFET Gate-All-Around (GAA).

Технический гигант рекламирует новый 3-нм технологический узел как свою самую передовую технологию производства чипов, позволяющую создавать компактные чипы меньшего размера с повышенной производительностью и эффективностью. Он обещает незначительное увеличение производительности по сравнению с 5-нм предшественником, заявляя о снижении энергопотребления до 45 процентов, повышении производительности на 23 процента и уменьшении площади поверхности на 16 процентов.

 

Анализ

Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

 

Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) — это новая транзисторная архитектура Samsung GAA, которая позволяет использовать более широкие каналы в затворах для прохождения электричества, предлагая снижение уровней напряжения по сравнению с предыдущей архитектурой транзисторов FinFET.

Как следует из названия, Gate-All-Around означает, что каналы окружены затворами, позволяющими пропускать больше тока привода, что позволяет отказаться от предыдущих ограничений производительности FinFET, которые использовали только три стороны. Samsung также утверждает, что это дает возможность быть самой гибкой конструкцией, позволяющей легко регулировать ширину канала в соответствии с потребностями клиента.

На данный момент первое поколение 3-нм чипов в настоящее время предназначено для высокопроизводительных компьютерных приложений с низким энергопотреблением, и планируется перевести узел, используемый на мобильные процессоры. Кроме того, в разработке находится 3-нм процесс второго поколения с целью дальнейшего снижения энергопотребления до 50%, повышения производительности на 30% и уменьшения площади поверхности на 35% по сравнению с текущим 5-нм технологический узел.

Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

 

«Samsung быстро растет, поскольку мы продолжаем демонстрировать лидерство в применении технологий следующего поколения в производстве, таких как первые в литейной промышленности металлические ворота High-K, FinFET, а также EUV. Мы стремимся сохранить это лидерство благодаря первому в мире 3-нм техпроцессу с MBCFET », — сказал д-р Сиёнг Чой, президент и руководитель литейного производства в Samsung Electronics.

Читать  Лучшие игровые мониторы 2021 года. Лучшие игровые экраны для игр от 1080p до 4K. Часть 1

«Мы продолжим активные инновации в разработке конкурентоспособных технологий и создадим процессы, которые помогут ускорить достижение зрелости технологий».

Достаточно сказать, что новый 3-нм технологический узел является долгожданным дополнением, учитывая, что конкуренты и крупнейший в мире литейный завод TSMC также наращивают производство собственного 3N-процесса. А поскольку новая технология вскоре будет реализована в мобильных приложениях, было бы интересно посмотреть, как эта технология сочетается с грядущими чипами Exynos.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...
Поделиться в соц. сетях:



Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

четырнадцать − 14 =

**ссылки nofollow

Это может быть вам интересно


Рекомендуемое
Есть много людей, которые создали веб-сайты, но не понимают, как…

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: