Поиск по сайту:

Люди существуют друг для друга (Марк Аврелий).

Intel рекламирует 10-кратное улучшение плотности и до 50% логического масштабирования к 2025 году

3 мин для чтения
FavoriteLoadingДобавить в избранное
14 декабря 2021
67-я Международная конференция по электронным устройствам IEEE 2021 стартовала в минувшие выходные, и она будет оставаться источником анонсов передовой электроники до среды. Гигант процессоров для ПК Intel произвел фурор на мероприятии, представив свое «неустанное следование закону Мура». Читая дальше, вы узнаете о трех ключевых достижениях Intel и ее партнеров, которые, надеюсь, убедят вас, что ее презентация IEDM — это не просто пустяки и не выдавать желаемое за действительное.

Intel рекламирует 10-кратное улучшение плотности и до 50% логического масштабирования к 2025 году

 

Достижения в технологиях масштабирования

Intel провела значительные исследования и разработки в области технологий масштабирования для создания более плотных транзисторных структур в будущих продуктах. Вы уже слышали о усовершенствованной упаковке Foveros следующего поколения для микропроцессоров с плиткой. Foveros Direct заменит эту технологию, обеспечивая более плотную и гибкую интеграцию обрабатывающих плиток на кристалле. «Вместо использования паяных соединений, которые замедляют передачу данных, Foveros Direct реализует прямые соединения медь-медь, что приводит к меньшей задержке и более высокой пропускной способности при уменьшении площади кристалла, необходимой для связи», — поясняет Intel в видео ниже.

Foveros Direct может означать более чем 10-кратное улучшение плотности межсоединений в упаковке

 

В своем видении наступающей эры пост-FinFET Intel видит подход к объединению нескольких (CMOS) транзисторов, который нацелен на достижение максимальных улучшений логического масштабирования от 30 до 50 процентов. В видео ниже инженер Intel Component Research Марко Радосавлевич использует дополненную реальность, чтобы рассказать вам о переходе от FinFET (2011) к RibbonFET (поставляется с Intel 20A) и не только благодаря технологиям наложения транзисторов. Intel в настоящее время тестирует различные методы стекирования кремний-на-кремнии, но отдает предпочтение «самовыравнивающимся» процессам.

 

И последнее, но не менее важное: с целью улучшения масштабирования Intel внимательно изучает новые и 2D-материалы, чтобы преодолеть ограничения на основе кремния после 2025 года.

 

Intel рекламирует 10-кратное улучшение плотности и до 50% логического масштабирования к 2025 году

 

Новые возможности кремния

Intel также осознает важность высокоскоростной подачи энергии для процессоров. Компания уже продвинулась вперед в создании «первой в мире интеграции переключателей питания на основе GaN с кремниевой CMOS на пластине 300 мм» для обеспечения питания на кристалле с низкими потерями, уменьшения сложности материнской платы и уменьшения объема PCM.

Читать  Как я узнаю, что аккумулятор моего ноутбука требует замены?

В настоящее время исследуется технология встроенного DRAM нового поколения с возможностью чтения/записи с малой задержкой. Intel исследует новые сегнетоэлектрические материалы, чтобы попытаться решить проблему огромных требований к памяти для всех видов задач, от ИИ до игр.

Intel рекламирует 10-кратное улучшение плотности и до 50% логического масштабирования к 2025 году

 

Квантовые вычисления на основе кремниевых транзисторов

Часто мы читаем об экстраординарных возможностях, уже предоставляемых квантовыми компьютерами, и об огромном потенциале, который ясно видно на пути вперед. Intel разумно вложила ресурсы в объединение своих кремниевых технологий, таких как производство КМОП, с квантовыми вычислениями.

Ранее Intel демонстрировала полные технологические потоки 300-миллиметровых кубитов для масштабируемых квантовых вычислений. Известно, что Intel и IMEC делают успехи в исследованиях материалов спинтроники. Возможно, наиболее важным является то, что на IEDM 2021 Intel продемонстрировала «первую в мире экспериментальную реализацию устройства магнитоэлектрической спин-орбитальной логики (MESO) при комнатной температуре». По словам Intel, демонстрация демонстрирует потенциал нового типа переключающего магнитного транзистора нанометрового размера.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (Пока оценок нет)
Загрузка...
Поделиться в соц. сетях:
0 0 votes
Рейтинг статьи
Subscribe
Notify of
guest
0 комментариев
Inline Feedbacks
View all comments

Читайте также

0
Would love your thoughts, please comment.x
()
x

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам:

Заполните форму и наш менеджер перезвонит Вам в самое ближайшее время!

badge
Обратный звонок 1
Отправить
galka

Спасибо! Ваша заявка принята

close
galka

Спасибо! Ваша заявка принята

close