DRAM
Динамическая оперативная память, сокращенно DRAM, представляет собой важную компоненту компьютерных систем, играющую ключевую роль в обеспечении быстродействия и эффективности компьютера. В этой статье мы рассмотрим сущность DRAM, её устройство, принцип работы, а также роль этого типа памяти в современных вычислительных системах.
Определение DRAM
DRAM — это тип оперативной памяти, используемый компьютерами для хранения данных, к которым процессор имеет быстрый доступ. В отличие от постоянной памяти, такой как жесткие диски или SSD, DRAM является «временной» памятью, то есть данные в ней хранятся только в течение периода работы компьютера и теряются при выключении.
Устройство DRAM
Каждая ячейка DRAM представляет собой конденсатор и транзистор. Конденсатор хранит электрический заряд, представляющий бит информации (0 или 1), а транзистор используется для чтения и обновления данных в ячейке. Поскольку конденсаторы теряют заряд со временем, информация должна периодически обновляться (процедура, называемая «рефрешем»).
Принцип работы DRAM
Чтение данных из DRAM включает в себя сначала активацию строки (ряда) памяти, в которой находится нужная информация. После этого данные считываются в буфер и передаются процессору. Запись в DRAM происходит аналогично: сначала активируется строка, затем данные передаются для записи.
Преимущества и ограничения DRAM
Основным преимуществом DRAM является его высокая скорость доступа к данным, что делает этот тип памяти идеальным для временного хранения данных, с которыми процессор часто взаимодействует. Однако у DRAM есть и ограничения.
Во-первых, по сравнению с другими типами памяти, такими как SRAM (статическая ОЗУ), DRAM более медленная и требует постоянного обновления данных для предотвращения потери информации.
Во-вторых, DRAM более чувствительна к электромагнитным помехам и требует дополнительных мер безопасности.
Роль DRAM в современных системах
DRAM играет важную роль в работе современных компьютерных систем. Она используется для временного хранения данных, необходимых при выполнении операций. Кроме того, большинство современных компьютеров поддерживают расширение объема DRAM для улучшения производительности.
Заключение
В итоге, DRAM является важным элементом в архитектуре компьютерных систем. Благодаря высокой скорости доступа и эффективности в управлении данными, этот тип памяти неотъемлем для современных компьютерных технологий. Однако, понимание ограничений и принципов работы DRAM также крайне важно для разработчиков и пользователей, стремящихся максимизировать производительность своих систем.
Цены на DRAM и VRAM, вероятно, вырастут в третьем квартале из-за спроса на ИИ
-2024 год не был добр к ценам на DRAM, поскольку мы уже увидели рост стоимости SSD и памяти до 20%. К сожалению, похоже, что в третьем квартале ситуация не улучшится, поскольку аналитики полагают, что нас ждет еще один виток инфляции.TrendForce прогнозирует еще 5-10% в области обычной DRAM, включая чипы HBM (память с высокой пропускной способностью).
Corsair нацелена на рабочие станции с памятью WS DDR5 RDIMM
-Corsair анонсировала свой первый комплект памяти RDIMM ECC, дебютировав в новом сегменте бренда. Этот новый пакет призван обеспечить высокую производительность и целостность данных для профессионалов, работающих на рабочих станциях.Эти комплекты, получившие название WS DDR5 ECC RDIMM, состоят из четырех модулей DDR5, работающих со скоростью 6400 МТ/с. Ориентируясь на процессоры Intel Xeon 4-го поколения и AMD
Samsung тестирует инновационную 36 ГБ HBM3E 12H DRAM
-Компания Samsung анонсировала инновационный 12-слойный чип памяти HBM3E, емкость и производительность которого на 50 % выше. Бренд также заявляет о более высокой вертикальной плотности и тепловых свойствах благодаря технологии Advanced TC NCF.Новое поколение HBM стремится стать лидером на рынке памяти, предлагая самую большую емкость — 36 ГБ. Благодаря растущему сегменту искусственного интеллекта HBM3E 12H предположительно на 50% быстрее
Новая универсальная память — эффективный преемник RAM и NAND
-В последнее время наделал шума новый тип памяти под названием UltraRAM. Разработанный Quinas Technology, дочерней компанией Ланкастерского университета в Великобритании, он звучит просто революционно. Обещая энергонезависимость флэш-памяти с производительностью, превышающей DRAM, она могла заменить и то, и другое одним махом.UltraRAM — новый тип универсальной памяти. Он обеспечивает более высокую надежность, чем флэш-память NAND на твердотельных
Взаимодействие с памятью
-Взаимодействие с памятью — важнейший аспект проектирования компьютерной системы, который включает подключение различных типов устройств памяти к центральному процессору (CPU) и другим периферийным устройствам. Память необходима для хранения данных и инструкций, которые центральный процессор должен обработать во время выполнения программы. Различные типы памяти, такие как ОЗУ (оперативная память), ПЗУ (память только для чтения) и различные внешние запоминающие
Corsair анонсирует память Dominator Platinum RGB DDR5-6600
-Памяти DDR5-6200 и DDR5-6400 явно не хватило. Corsair расширила свои предложения, выпустив комплект DDR5-6600 с малым временем загрузки.Доступный в черном или белом цвете, этот комплект со скоростью 6600 МТ/с имеет емкость 32 ГБ (2×16 ГБ) и может похвастаться впечатляющими таймингами 32-39-39-76 при 1,40 В. Он также может работать при напряжении 1,1 В, хотя и с более медленными
Ноутбук Dell Precision 7670 будет оснащен специальным модулем памяти DDR5
-Предстоящий ноутбук Dell Precision 7670, похоже, будет оснащен проприетарным модулем памяти DDR5, получившим название CAMM (Compression Attached Memory Module).Пользователь Twitter iGPU Extremist опубликовал просочившиеся фотографии, демонстрирующие CAMM в готовящемся к выпуску ноутбуке Precision 7670, что дает первое представление о собственном подходе Dell к альтернативе SO-DIMM. Если утечка верна, по количеству микросхем DRAM мы можем предположить, что этот новый формат,
SK hynix может похвастаться своей «первой в отрасли» разработкой HBM3
-Сегодня SK hynix объявила, что она стала первой в отрасли, успешно разработав HBM3. HBM четвертого поколения (вслед за HBM, HBM2 и HBM2E) — не просто «самая быстрая DRAM в мире», но и обеспечивает максимальную емкость и непревзойденную надежность.«SK hynix преуспела в разработке первого в отрасли HBM3 после того, как возглавила рынок HBM2E, — сказал исполнительный вице-президент SK
