Samsung тестирует инновационную 36 ГБ HBM3E 12H DRAM

Компания Samsung анонсировала инновационный 12-слойный чип памяти HBM3E, емкость и производительность которого на 50 % выше. Бренд также заявляет о более высокой вертикальной плотности и тепловых свойствах благодаря технологии Advanced TC NCF.

Новое поколение HBM стремится стать лидером на рынке памяти, предлагая самую большую емкость — 36 ГБ. Благодаря растущему сегменту искусственного интеллекта HBM3E 12H предположительно на 50% быстрее своего предшественника HBM3 8H. Если быть более конкретным, бренд говорит о пропускной способности 1280 ГБ/с. Для справки: чудовищной RTX 4090 требуется 12 чипов GDDR6X, чтобы достичь пропускной способности 1008 ГБ/с.

Такое повышение производительности и емкости стало возможным благодаря технологии усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки Samsung (Advanced TC NCF). Теперь он может укладывать 12 слоев, сохраняя при этом ту же высоту, что и 8-слойные чипы HBM3. Проще говоря, усовершенствованная технология TC NCF от Samsung использует выступы различных размеров. Есть маленькие для передачи сигналов и большие для отвода тепла, что улучшает как возможности чипа, так и выход продукта.

Уменьшив толщину материала NCF, Samsung добилась наименьшего в отрасли зазора между чипами — 7 мкм (микрометров). Бренд также устранил пустоты между этими слоями. Эти усилия увеличивают вертикальную плотность более чем на 20% по сравнению с HBM3 8H.

Чипы HBM довольно популярны благодаря их роли в создании генеративных систем искусственного интеллекта, таких как ChatGPT. Просто посмотрите на HPC/серверные графические процессоры, такие как Nvidia A100 и H100. Фактически, «Зеленая команда» получила настолько большой спрос на чипы искусственного интеллекта, что ее рыночная капитализация недавно превзошла рыночную капитализацию Google Alphabet. Серьезно, в третьем квартале 2023 года было зарегистрировано колоссальное увеличение выручки от продаж на 206% .

«Поставщикам услуг искусственного интеллекта в отрасли все чаще требуются HBM с большей емкостью, и наш новый продукт HBM3E 12H был разработан, чтобы удовлетворить эту потребность», — сказал Йонгчеол Бэ, исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти в Samsung Electronics. «Это новое решение памяти является частью нашего стремления к разработке основных технологий для высокопроизводительных HBM и обеспечению технологического лидерства на рынке высокопроизводительных HBM в эпоху искусственного интеллекта».

Samsung уже начала предлагать клиентам HBM3E 12H, а массовое производство запланировано на первую половину этого года.

(1 оценок, среднее: 5,00 из 5)

Загрузка...