Поиск по сайту:

Начало — более, чем половина всего (Аристотель).

IBM и Samsung объявляют о VTFET, «прорыве в разработке полупроводников»

2 мин для чтения
FavoriteLoadingДобавить в избранное
15 декабря 2021
По заявлению IBM, полевые транзисторы с нанолистом для вертикальной транспортировки могут помочь сохранить закон Мура на долгие годы.

IBM утверждает, что в партнерстве с Samsung она совершила прорыв в разработке полупроводников. В нем говорится, что технология полевого транзистора с вертикальным транспортным нанолистом (VTFET) может «помочь сохранить закон Мура на долгие годы». Показывая свой передовой полупроводниковый дизайн, IBM утверждает, что VTFET может производить микросхемы с удвоенной производительностью или до 85% большей энергоэффективностью, чем альтернативы FinFET.

 

В современных традиционных конструкциях микросхем транзисторы расположены плоско на кремниевых пластинах, при этом ток течет по поверхности из стороны в сторону (см. Диаграмму внизу слева). Конструкция VTFET (диаграмма внизу справа) добавляет новое измерение, поскольку она «размещает транзисторы перпендикулярно кремниевой пластине и направляет поток тока вертикально к поверхности пластины».

Между прочим, новый подход позволяет ослабить физические ограничения на длину затвора транзистора, толщину прокладки и размер контакта до более оптимальных значений.

IBM и Samsung объявляют о VTFET, «прорыве в разработке полупроводников»

 

Исследователи IBM ранее демонстрировали масштабирование CMOS полупроводников за пределы технологии нанолистов и полагают, что VTFET можно использовать для «увеличения производительности в два раза или снижения энергопотребления до 85% по сравнению с масштабируемой альтернативой FinFET».

В мае IBM анонсировала дизайн микросхем с режимом 2 нм, обеспечивающий до 50 миллиардов транзисторов на уровне человеческого ногтя. Утверждается, что VTFET с его дополнительным размером значительно улучшает масштабирование плотности «за счет уменьшения шага затвора и устранения фиктивных изолирующих затворов».

 

Практичность

В EETIMES отмечает, что IBM/Samsung не одинок в разработке вертикально сложенные транзисторы и Nanochip конструкций. Intel и TSMC проводят исследования, идущие по аналогичным направлениям, чтобы увеличить плотность по мере нашего перехода к эпохе Ангстрема. И последнее, но не менее важное: IBM/Samsung не предоставили никаких указаний относительно временной шкалы VTFET, поэтому трудно понять, когда/если такие конструкции транзисторов попадут в коммерческое производство. Однако перед этим анонсом компания создала тестовые микросхемы с использованием VTFET.

Читать  Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 представлен в смартфонах премиум-класса следующего поколения

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (1 оценок, среднее: 5,00 из 5)
Загрузка...
Поделиться в соц. сетях:
5 1 голос
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии

Читайте также

0
Оставьте комментарий! Напишите, что думаете по поводу статьи.x
()
x

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам:

Заполните форму и наш менеджер перезвонит Вам в самое ближайшее время!

badge
Обратный звонок 1
Отправить
galka

Спасибо! Ваша заявка принята

close
galka

Спасибо! Ваша заявка принята

close