Samsung запускает массовое производство на 3-нм технологическом узле

Samsung начала массовое производство своего нового 3-нм технологического узла, впервые использующего архитектуру транзисторов MBCFET Gate-All-Around (GAA).

Технический гигант рекламирует новый 3-нм технологический узел как свою самую передовую технологию производства чипов, позволяющую создавать компактные чипы меньшего размера с повышенной производительностью и эффективностью. Он обещает незначительное увеличение производительности по сравнению с 5-нм предшественником, заявляя о снижении энергопотребления до 45 процентов, повышении производительности на 23 процента и уменьшении площади поверхности на 16 процентов.

Анализ

Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) — это новая транзисторная архитектура Samsung GAA, которая позволяет использовать более широкие каналы в затворах для прохождения электричества, предлагая снижение уровней напряжения по сравнению с предыдущей архитектурой транзисторов FinFET.

Как следует из названия, Gate-All-Around означает, что каналы окружены затворами, позволяющими пропускать больше тока привода, что позволяет отказаться от предыдущих ограничений производительности FinFET, которые использовали только три стороны. Samsung также утверждает, что это дает возможность быть самой гибкой конструкцией, позволяющей легко регулировать ширину канала в соответствии с потребностями клиента.

На данный момент первое поколение 3-нм чипов в настоящее время предназначено для высокопроизводительных компьютерных приложений с низким энергопотреблением, и планируется перевести узел, используемый на мобильные процессоры. Кроме того, в разработке находится 3-нм процесс второго поколения с целью дальнейшего снижения энергопотребления до 50%, повышения производительности на 30% и уменьшения площади поверхности на 35% по сравнению с текущим 5-нм технологический узел.

«Samsung быстро растет, поскольку мы продолжаем демонстрировать лидерство в применении технологий следующего поколения в производстве, таких как первые в литейной промышленности металлические ворота High-K, FinFET, а также EUV. Мы стремимся сохранить это лидерство благодаря первому в мире 3-нм техпроцессу с MBCFET ^™», — сказал д-р Сиёнг Чой, президент и руководитель литейного производства в Samsung Electronics.

«Мы продолжим активные инновации в разработке конкурентоспособных технологий и создадим процессы, которые помогут ускорить достижение зрелости технологий».

Достаточно сказать, что новый 3-нм технологический узел является долгожданным дополнением, учитывая, что конкуренты и крупнейший в мире литейный завод TSMC также наращивают производство собственного 3N-процесса. А поскольку новая технология вскоре будет реализована в мобильных приложениях, было бы интересно посмотреть, как эта технология сочетается с грядущими чипами Exynos.

(Пока оценок нет)

Загрузка...