Новая универсальная память — эффективный преемник RAM и NAND

В последнее время наделал шума новый тип памяти под названием UltraRAM. Разработанный Quinas Technology, дочерней компанией Ланкастерского университета в Великобритании, он звучит просто революционно. Обещая энергонезависимость флэш-памяти с производительностью, превышающей DRAM, она могла заменить и то, и другое одним махом.

UltraRAM — новый тип универсальной памяти. Он обеспечивает более высокую надежность, чем флэш-память NAND на твердотельных накопителях, а производительность чтения и записи значительно превосходит оперативную память. Этот новый Святой Грааль также потребляет меньше энергии. Это действительно может быть универсальный магазин для всех типов устройств. Сообщается, что благодаря низкому энергопотреблению он может хранить данные более 1000 лет. Да, это лучшее решение для спящего режима Windows. Куинас также утверждает, что UltraRAM требует в 100 раз меньше энергии переключения по сравнению с DRAM.

Эта технология может дать нам устройство с 1 ТБ памяти, которое можно будет использовать как для хранения данных, так и для работы системы. Для геймеров это также будет означать отсутствие времени загрузки, поскольку данные технически уже находятся в чем-то более быстром, чем оперативная память.

Эти заявления о высокой долговечности отчасти объясняются очень низким напряжением программирования/стирания UltraRAM. Например, типичному флэш-чипу SSD может потребоваться импульс напряжением от 15 до 22 В для стирания содержимого страницы. Страница обычно хранит от 8 до 16 КБ данных и состоит из нескольких ячеек. Однако UltraRAM для той же задачи требуется всего 2,5 В. UltraRAM использует квантово-механический процесс, называемый резонансным туннелированием, что позволяет ему быть энергонезависимым, сохраняя при этом высокую скорость доступа и энергоэффективность.

Хотя это может звучать слишком хорошо, чтобы быть правдой, по словам Куинаса, UltraRAM продемонстрировала работу без деградации более десяти миллионов циклов программирования/стирания. Самое приятное то, что производители могут производить UltraRAM, используя традиционные процессы полупроводниковой и кремниевой промышленности. Это могло бы даже объединить производителей оперативной памяти и накопителей в один большой рынок.

Независимо от того, сможет ли он эффективно хранить данные в течение тысячелетий или сможет увеличить скорость DRAM в 10 раз, сочетания хранения данных NAND и скорости DRAM достаточно, чтобы произвести революцию в вычислениях. И если эта технология станет доступной в потребительских товарах, мы наконец сможем попрощаться с загрузочными экранами. Мы не уверены, как это повлияет на стремительный рост цен, но мы надеемся, что это сможет их снова снизить. Тем не менее, эта технология, вероятно, еще не скоро выйдет на рынок.

(1 оценок, среднее: 5,00 из 5)

Загрузка...