Поиск по сайту:
На мысли следует попадать с помощью мыслей: по идеям не палят из ружей (А. Ривароль).

SK hynix может похвастаться своей “первой в отрасли” разработкой HBM3

21.10.2021
SK hynix может похвастаться своей "первой в отрасли" разработкой HBM3

Сегодня SK hynix объявила, что она стала первой в отрасли, успешно разработав HBM3. HBM четвертого поколения (вслед за HBM, HBM2 и HBM2E) – не просто «самая быстрая DRAM в мире», но и обеспечивает максимальную емкость и непревзойденную надежность.

«SK hynix преуспела в разработке первого в отрасли HBM3 после того, как возглавила рынок HBM2E, – сказал исполнительный вице-президент SK hynix по разработке DRAM Сон-Ён Ча. Одна из ключевых технологий, позволивших успешно разработать HBM3, – это все более привычная технология межсоединений TSV или Through Silicon Via.

SK hynix может похвастаться своей "первой в отрасли" разработкой HBM3

 

TSV используется при изготовлении HBM3 для вертикального стека нескольких микросхем DRAM и одновременно обеспечивает отличную полосу пропускания благодаря многочисленным коротким соединениям между IC, которые реализует этот метод.

SK hynix сообщает, что начинает производство HBM3 с двумя чипами емкостью 16 ГБ и 24 ГБ. В нем поясняется, что «для продукта емкостью 24 ГБ инженеры SK hynix установили высоту микросхемы DRAM примерно до 30 микрометров (мкм, 10-6 м), что эквивалентно трети толщины бумаги формата A4». Чип на 24 ГБ состоит из 12 таких слоев, соединенных по технологии TSV.

Некоторые предварительные показатели производительности были предоставлены корейским производителем памяти, чтобы помочь энтузиастам разобраться в последнем поколении HBM. Согласно SK hynix, его DRAM HBM3 может достигать 819 ГБ/с. С точки зрения непрофессионала, это означает, что теоретически он может передавать 163 фильма в формате FHD (Full-HD) (5 ГБ каждый) за одну секунду. К сожалению, сегодня SK hynix не поделилась никакими сравнениями с дискетами, двухэтажными автобусами или футбольными полями. HBM2E DRAM от SK hynix обеспечивает скорость около 460 ГБ/с.

Читать  SK hynix представляет твердотельный накопитель Platinum P41 PCIe 4.0 со 176-слойной NAND

HBM3 – это не просто увеличение скорости; Спецификация включает встроенный код исправления ошибок, который, по утверждению SK hynix, «значительно повышает надежность продукта».

По мнению SK hynix, производительность и надежность HBM последнего поколения в первую очередь будут приняты суперкомпьютерами, высокопроизводительными центрами обработки данных и платформами машинного обучения. Другими словами, не ожидайте, что он появится в вашем следующем графическом процессоре, телефоне или игровой консоли.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

1 Звезда2 Звезды3 Звезды4 Звезды5 Звезд (1 оценок, среднее: 5,00 из 5)
Загрузка...
Поделиться в соц. сетях:


0 0 голоса
Рейтинг статьи
Подписаться
Уведомить о
guest

**ссылки nofollow

0 комментариев
Старые
Новые Популярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии

Это может быть вам интересно


Рекомендуемое
Google уже продемонстрировал дизайн и некоторые из ключевых особенностей этих пикселей 6 и Pixel 6…

Спасибо!

Теперь редакторы в курсе.