По заявлению IBM, полевые транзисторы с нанолистом для вертикальной транспортировки могут помочь сохранить закон Мура на долгие годы.

IBM утверждает, что в партнерстве с Samsung она совершила прорыв в разработке полупроводников. В нем говорится, что технология полевого транзистора с вертикальным транспортным нанолистом (VTFET) может «помочь сохранить закон Мура на долгие годы». Показывая свой передовой полупроводниковый дизайн, IBM утверждает, что VTFET может производить микросхемы с удвоенной производительностью или до 85% большей энергоэффективностью, чем альтернативы FinFET.

В современных традиционных конструкциях микросхем транзисторы расположены плоско на кремниевых пластинах, при этом ток течет по поверхности из стороны в сторону (см. Диаграмму внизу слева). Конструкция VTFET (диаграмма внизу справа) добавляет новое измерение, поскольку она «размещает транзисторы перпендикулярно кремниевой пластине и направляет поток тока вертикально к поверхности пластины».

Между прочим, новый подход позволяет ослабить физические ограничения на длину затвора транзистора, толщину прокладки и размер контакта до более оптимальных значений.

Исследователи IBM ранее демонстрировали масштабирование CMOS полупроводников за пределы технологии нанолистов и полагают, что VTFET можно использовать для «увеличения производительности в два раза или снижения энергопотребления до 85% по сравнению с масштабируемой альтернативой FinFET».

В мае IBM анонсировала дизайн микросхем с режимом 2 нм, обеспечивающий до 50 миллиардов транзисторов на уровне человеческого ногтя. Утверждается, что VTFET с его дополнительным размером значительно улучшает масштабирование плотности «за счет уменьшения шага затвора и устранения фиктивных изолирующих затворов».

Практичность

В EETIMES отмечает, что IBM/Samsung не одинок в разработке вертикально сложенные транзисторы и Nanochip конструкций. Intel и TSMC проводят исследования, идущие по аналогичным направлениям, чтобы увеличить плотность по мере нашего перехода к эпохе Ангстрема. И последнее, но не менее важное: IBM/Samsung не предоставили никаких указаний относительно временной шкалы VTFET, поэтому трудно понять, когда/если такие конструкции транзисторов попадут в коммерческое производство. Однако перед этим анонсом компания создала тестовые микросхемы с использованием VTFET.

(1 оценок, среднее: 5,00 из 5)

Загрузка...