Quinas Technology – это британская компания, основанная в 2016 году, которая разрабатывает новую революционную технологию памяти. Эта технология, основанная на квантово-механическом процессе резонансного туннелирования, обещает стать более быстрой, энергоэффективной и долговечной, чем существующие решения на базе DRAM и флэш-памяти.
Резонансное туннелирование – это квантово-механический эффект, при котором электроны могут проходить через барьер, который, казалось бы, должен их блокировать. Это происходит потому, что электроны могут вести себя как волны, а волны могут проходить через препятствия, которые непроницаемы для частиц.
Quinas Technology использует резонансное туннелирование для создания нового типа памяти, называемого “QRAM” (Quinas Resonant Associative Memory). QRAM работает путем хранения данных в виде спинов электронов. Спины электронов могут быть либо “вверх”, либо “вниз”, что соответствует битам 0 и 1 в двоичной системе исчисления.
Quinas Technology уже продемонстрировала работоспособность QRAM в лабораторных условиях. Компания сейчас работает над масштабированием технологии и снижением ее стоимости.
Quinas Technology разрабатывает революционную технологию памяти, которая может изменить мир. QRAM имеет потенциал сделать компьютеры более быстрыми, энергоэффективными и долговечными. Эта технология может также найти применение в области искусственного интеллекта, Интернета вещей и хранения данных.
В последнее время наделал шума новый тип памяти под названием UltraRAM. Разработанный Quinas Technology, дочерней компанией Ланкастерского университета в Великобритании, он звучит просто революционно. Обещая энергонезависимость флэш-памяти с производительностью, превышающей DRAM, она могла заменить и