Компания Samsung объявила, что усердно работает над разработкой новой ведущей памяти HBM4 с 3D-упаковкой. А еще лучше, это не так уж и далеко, учитывая дату выпуска в 2025 году.
В новостном отделе Samsung Semiconductor было объявлено, что последние разработки в области HBM (High Bandwidth Memory) будут включать в себя 16-Hi Stacks и 3D-упаковку. Это настоящий скачок по сравнению с нынешним флагманом компании HBM3E Shinebolt, анонс которого был анонсирован в конце прошлого года, и который достиг максимума в 12-Hi Stacks и 2.5D-упаковке.
Эта технология используется во всем: от видеокарт до SSD-накопителей NVMe. При использовании тех же ёмкостей в 256 ГБ новые инновации могут превзойти текущие скорости около 10 Гбит/с, доступные через HBM4. В переводе с родного корейского (через Wccftech): «Samsung Electronics планирует отреагировать унификацией основного кристалла и диверсификацией пакетов, а также базовых кристаллов, таких как 8H, 12H и 16H».
Для справки: недавно анонсированный кристалл Nvidia Blackwell B200 использует память HBM3E емкостью до 192 ГБ. Предлагаемая новая память HBM4 будет иметь емкость до 256 ГБ, что может еще больше повысить производительность DRAM при объединении, особенно с учетом того, что оборудование продолжает становиться все более плотным. В переводе на английский Samsung заявляет: «Ожидается, что третье нововведение произойдет, когда ячейки DRAM и логика станут более смешанными, как HBM-PIM».
Ранее компания Samsung участвовала в разработке архитектуры графических процессоров, выпустив 8-нм техпроцесс Ampere (серия RTX 30) и серию RX 6000 (RDNA 2) для Nvidia и AMD соответственно. Эти поколения видеокарт были созданы на базе HBM2E для GDDR6X. В последнем поколении графических процессоров оба производителя перешли на 5-нм техпроцесс TSMC. Появится ли HBM4 от Samsung в следующем поколении с предстоящим GDDR7, еще неизвестно, но инновации, сделанные в DRAM и VRAM, здесь нельзя недооценивать. Пока не введут подписки, мы будем рады.