Прорыв в технологии SSD-памяти продолжается там, где остановился Intel Optane

В будущем SSD-память может стать намного быстрее – как молниеносно. Исследователи из Университета Донгук в Южной Корее разработали новую оптоэлектронную память, которая сочетает в себе лучшие аспекты DRAM и NAND в одном запоминающем устройстве. Это может изменить правила игры в технологии памяти, какой мы ее знаем сегодня. Позвольте нам объяснить.

DRAM — самая быстрая доступная память, хотя она довольно энергозависима. Как бы нам ни хотелось скорости передачи данных DDR5-10000 для наших твердотельных накопителей, это остается маловероятным, поскольку энергозависимая память не может хранить свои данные после того, как вы отключили свой компьютер. Кроме того, он довольно дорогой с точки зрения мощности.

Флэш-память NAND, будь то 3D NAND, SLC, MLC или TLC, остается основным типом памяти для твердотельных накопителей, но она не так быстра, как DRAM. Флэш-память записывается по одному байту, но стирать можно только целыми блоками, что ограничивает скорость чтения и записи. Стирание также является основным фактором износа памяти, ограничивая общий срок ее службы. Флэш-память NAND действительно ограничена.

Тем не менее, в этом новом решении памяти используется технология фазового изменения, которая работает аналогично ныне несуществующей технологии Intel Optane Persistent Memory. Неспособность Team Blue добиться значительных успехов привела к тому, что Optane стал в первую очередь решением для центров обработки данных. Он был далек от совершенства, имел высокое энергопотребление и столь же высокие производственные затраты. В конце концов, бренд увидел в этом нишу и постепенно ушел с рынка памяти, закрыв свой бизнес Optane.

Однако этот прорыв обещает более дешевое, быстрое и более энергоэффективное решение. Команда профессора Чоя разработала способ электрического формирования изменяющихся материалов на чрезвычайно небольшой площади, успешно создав устройство со сверхмалым энергопотреблением. Исследователи утверждают, что их метод потребляет в 15 раз меньше энергии, чем предыдущие модели, в которых использовались дорогие инструменты для литографии. Таким образом, он не только энергоэффективен, но и экономически эффективен в производстве.

Мы не уверены, когда этот тип хранилища/памяти поступит к потребителям. Исследование знаменует собой важную веху в технологии многобитной оптоэлектронной памяти, но это все еще начальная стадия. Эта технология имеет большой потенциал в области искусственного интеллекта, облачных вычислений и центров обработки данных. Хотя, учитывая, что ИИ может увеличить затраты на память в будущем, мы не возражали бы и на наших ПК.

(1 оценок, среднее: 5,00 из 5)

Загрузка...